硅片处理设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种硅片处理设备，硅片处理设备包括：硅片加工组件，硅片加工组件上设置有输入端和输出端，输入端适于接收载板，输出端适于输出载板；载板传送组件，载板传送组件包括：导轨，导轨的两端分别与输入端和输出端相连接；传输装置，设置于导轨上，传输装置能够沿导轨运动，传输装置上设置有腔体；其中，输出端输出的载板存入腔体后，经传输装置将载板输送至输入端。通过设置由导轨和传输装置组成的载板传送组件，取缔了皮带输送机，一方面精简了硅片处理设备的结构，缩减载板传送组件所占空间。通过在传送装置上设置腔体，可以从密封结构上进一步精简硅片处理设备的结构。
基本信息
专利标题 ：
硅片处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022461997.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN213835532U
授权日 ：
2021-07-30
发明人 ：
左国军梁建军杨虎候岳明朱海剑柳昆鹏
申请人 ：
常州捷佳创精密机械有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区机电工业园宝塔山路9号
代理机构 ：
北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尚志峰
优先权 ：
CN202022461997.4
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50 C23C16/54
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-07-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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