一种硅片处理设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种硅片处理设备，包括湿法站、导片站和高温站。所述湿法站用于对硼扩散后的硅片处理；所述导片站设于所述湿法站和所述高温站之间，与所述湿法站和所述高温站均连通；所述导片站内设有隔板，所述隔板将所述导片站分隔成装载室和等候室，所述装载室靠近所述湿法站，所述等候室靠近所述高温站，所述隔板上设有第一传送门，所述第一传送门用于将所述硅片从所述装载室输送至等候室；所述高温站与所述导片站之间设有第二传送门，所述第二传送门用于将所述硅片从所述等候室输送至高温站内；所述高温站用于对所述硅片制备多晶硅层。本发明缩短生产制程的时间，提高了硅片被处理后的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284186A
申请号 ：
CN202210037332.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩培丁刘运宇张良
申请人 ：
上海钧乾智造科技有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区吕巷镇璜溪西街88号2幢4599室
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202210037332.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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