硅片处理装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种硅片处理装置，硅片处理装置包括：箱体，箱体上设置有腔体和与腔体相连通的排气口，腔体被配置为适于放置硅片；第一喷淋组件，与箱体相连接，第一喷淋组件被配置为向腔体中喷淋液体；排气组件，与排气口相连接，排气组件被配置为抽取腔体中的气体；控制器，与第一喷淋组件和排气组件相连接，控制器控制喷淋组件和排气组件工作。该结构使腔体内的空间可以保持在一定湿度和压力下，从而营造出便于硅片存放的环境，即通过使硅片处于一定的湿度和压力状态来减缓硅片表面的氧化反应速率，减少后续清除氧化膜的工作量和药剂消耗量。
基本信息
专利标题 ：
硅片处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022044880.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN212934566U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
左国军成旭邱瑞任金枝
申请人 ：
常州捷佳创精密机械有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区机电工业园宝塔山路9号
代理机构 ：
北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尚志峰
优先权 ：
CN202022044880.6
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/677 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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