外延硅片预处理系统

授权

摘要

本实用新型公开了外延硅片预处理系统，包括空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶、流量计和喷射装置；所述空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶通过第一进气管顺次连接，所述第一进气管的出口端插入鼓泡瓶内水面以下；所述鼓泡瓶和喷射装置通过排气管连接，所述排气管上设置有流量计，所述排气管的入口端在鼓泡瓶内水面以上；所述喷射装置用于将臭氧喷射在外延硅片的表面，所述鼓泡瓶内的水保持恒温。本实用新型解决了采用双氧水浸泡方式导致操作难度大、工作量大问题。

基本信息

专利标题：

外延硅片预处理系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020747754.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-08

授权号：

CN211605111U

授权日：

2020-09-29

发明人：

康宏王作义卞小玉石广宁何传奇

申请人：

四川广瑞半导体有限公司

申请人地址：

四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

唐邦英

优先权：

CN202020747754.4

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67