一种可以改善外延过程中毛边缺陷的硅片结构

授权

摘要

本申请属于半导体硅片结构设计技术领域，具体涉及一种硅片结构专利申请。从正面至背面，结构依次为：硅片、硅片背面吸杂层，以及在吸杂层外部的若干层交替覆盖或重叠覆盖的具有保护作用的氧化层和无序硅晶格层；硅片为单晶硅片；吸杂层为多晶硅层或者通过机械损伤方式所形成的具有吸杂作用的层结构；氧化层为二氧化硅层；无序硅晶格层为多晶硅、碳化硅或氮化硅。技术原理为：利用其无序硅晶格散乱无序的理化特点，当生长外延层时，可使晶核成长过程中的成长速率及方向相互牵制而无法长大成核。采用这种新的背面结构设计后，较好克服了制备外延层过程中的毛边缺陷问题，对于提高最终硅片产品良率具有较为积极的技术意义和较为实用的生产价值。

基本信息

专利标题：

一种可以改善外延过程中毛边缺陷的硅片结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021004322.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-04

授权号：

CN211929434U

授权日：

2020-11-13

发明人：

吴泓明钟佑生黄郁璿

申请人：

郑州合晶硅材料有限公司

申请人地址：

河南省郑州市航空港区郑港六路蓝山公馆202号

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙)

代理人：

张晓萍

优先权：

CN202021004322.0

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02