对硅片位置进行调准的系统、方法及外延设备
公开
摘要
本发明实施例公开了一种对硅片相对于外延设备的基座的位置进行调准的系统、方法及外延设备，所述系统包括：识别单元，所述识别单元用于根据外延硅片的SFQR图识别通过生长外延层而获得所述外延硅片的硅片在承载于所述基座上时相对于所述基座的偏移量，其中，硅片被所述外延设备的传送机构传送以承载于所述基座上；调整单元，所述调整单元用于根据所述偏移量对所述传送机构将硅片传送至的位置进行调整使得当硅片承载于所述基座上时相对于所述基座居中。
基本信息
专利标题 ：
对硅片位置进行调准的系统、方法及外延设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293250A
申请号 ：
CN202111639869.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘凯牛景豪俎世琦
申请人 ：
西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 ：
西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李斌栋
优先权 ：
CN202111639869.7
主分类号 ：
C30B25/16
IPC分类号 ：
C30B25/16 C30B29/06 H01L21/68
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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