一种硅片处理装置和处理方法
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摘要

本发明提供一种硅片处理装置和处理方法,处理装置包括:槽体,所述槽体内限定有用于盛装处理液的腔室;支架,所述支架设在所述腔室内以放置硅片;夹持机构,用于夹持所述硅片;液位计,用于检测所述腔室中的处理液的液位;控制机构,用于当排放所述槽体内的处理液且所述液位计检测到所述液位下降至第一液位时,控制所述夹持机构夹持所述硅片的露出处理液的部分并移动所述硅片脱离所述支架;当所述液位为所述第一液位时,所述硅片部分露出所述处理液且所述支架与所述硅片的接触部分未露出所述处理液。能够使得硅片与支架接触位置的水分顺利离开硅片表面,提高硅片的干燥效果,避免后续加工过程中产生水印的风险,提高硅片的加工质量。

基本信息
专利标题 :
一种硅片处理装置和处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110544654A
申请号 :
CN201910795184.8
公开(公告)日 :
2019-12-06
申请日 :
2019-08-27
授权号 :
CN110544654B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
张少飞
申请人 :
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
许静
优先权 :
CN201910795184.8
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/687  H01L21/02  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-11-09 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/67
登记生效日 : 20211027
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 西安奕斯伟硅片技术有限公司
变更后权利人 : 西安奕斯伟材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
变更后权利人 : 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
变更事项 : 申请人
变更后权利人 : 西安奕斯伟硅片技术有限公司
2019-12-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190827
2019-12-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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