利用湿法腐蚀设备处理硅片的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种利用湿法腐蚀设备处理硅片的方法，该方法利用设备的搬入口或搬出口作为空片盒承载台，使设备的处理槽能同时进行更多硅片的处理，本发明的方法不需要进行任何硬件改造，就能使湿法腐蚀设备的使用效率提高了20％。
基本信息
专利标题 ：
利用湿法腐蚀设备处理硅片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979762A
申请号 ：
CN200510111288.0
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
仓凌盛荣毅
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111288.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2021-11-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20080903
终止日期 : 20201208
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20080903
终止日期 : 20201208
2014-02-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689528620
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101112880
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
号牌文件序号 : 101689528620
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101112880
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
2008-09-03 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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