湿法腐蚀装置
专利权的终止
摘要
一种湿法化学腐蚀装置，用以腐蚀介质薄膜，特别适用于半导体器件生产工艺中Si3N4介质膜的湿法腐蚀，可耐200℃高温。在腐蚀容器[2]上的盖子[1]内侧布满回形冷却管[3]，当腐蚀液加热时，管子接通冷却水，这样因受热产生的腐蚀液蒸汽在管子上遇冷而凝聚下来，滴回腐蚀液中，从而能很好地保持腐蚀液的组分，不改变腐蚀速率，保证腐蚀质量。
基本信息
专利标题 ：
湿法腐蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85203849.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-09-17
授权号 ：
CN85203849U
授权日 ：
1986-05-21
发明人 ：
刘振芳蔡福兴
申请人 ：
航天工业部七七一研究所
申请人地址 ：
陕西省临潼县19号信箱
代理机构 ：
航天工业部专利事务所
代理人 ：
管洁
优先权 ：
CN85203849.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/306 H01L21/456
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1989-11-29 ：
专利权的终止
终止日 : 19861203
1986-12-03 ：
授权
1986-05-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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