一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法
授权
摘要
本发明公开了一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，属于新材料技术领域。本发明将金属催化硅腐蚀技术与金属腐蚀技术相结合，提出了一种新型的晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，可用于晶体硅表面大面积微纳米尺度金字塔阵列绒面结构制备。该技术简单易行，不需要添加双氧水等强氧化剂，成本低廉，可工业化生产，所制备的大面积微纳米尺度金字塔阵列绒面光吸收性能优异，因此在太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108538720A
申请号 ：
CN201710127031.7
公开（公告）日 ：
2018-09-14
申请日 ：
2017-03-06
授权号 ：
CN108538720B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
彭奎庆付昊鑫王江
申请人 ：
北京师范大学
申请人地址 ：
北京市海淀区新街口外大街19号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201710127031.7
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20170306
申请日 : 20170306
2018-09-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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