一种碱溶液水平连续腐蚀晶体硅片的方法和设备
公开
摘要
本发明的一种碱溶液水平连续腐蚀晶体硅片的方法和设备在需要被碱溶液腐蚀的晶体硅片的上表面涂布一层碱溶液，使碱溶液在晶体硅片上表面形成一层碱溶液膜。晶体硅片在被水平传输过程中，晶体硅片和在晶体硅片上表面的碱溶液被加热到指定的反应温度，使在晶体硅片上表面的碱溶液与晶体硅片上表面发生碱腐蚀反应，并保持该反应温度至该晶体硅片被传输离开该本发明的碱腐蚀反应单元，完成本发明的采用碱溶液腐蚀晶体硅片上表面的工艺步骤。
基本信息
专利标题 ：
一种碱溶液水平连续腐蚀晶体硅片的方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496767A
申请号 ：
CN202011151694.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
季静佳毛淑刚覃榆森
申请人 ：
苏州易益新能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区越溪街道前珠路18-38号2幢
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011151694.0
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/677 H01L31/18 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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