新型的硅片腐蚀装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
新型的硅片腐蚀装置是一种可获得大面积均匀腐蚀的硅片腐蚀装置，由腐蚀槽、样品架和搅拌系统组成，其特点是样品架采用三爪式结构，搅拌系统采用偏心的双向旋转搅拌子，样品架的转动方向与搅拌子的转向相反，采用温度控制器控制腐蚀液温度，具有结构简单、使用方便等优点，可获得大面积均匀腐蚀的硅片。
基本信息
专利标题 ：
新型的硅片腐蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89205180.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-06-23
授权号 ：
CN2058786U
授权日 ：
1990-06-27
发明人 ：
吕世骥
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
东南大学专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN89205180.9
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
1993-05-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-03-06 ：
授权
1990-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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