硅片分片装置
授权
摘要
本申请公开了一种硅片分片装置，包括机架，机架上设有第一输送装置和第二输送装置，第一输送装置包括一对输送带，第一输送装置的上下方分别设有第一吸盘装置和第二吸盘装置，第一吸盘装置包括升降气缸和吸盘，第一输送装置上方设有图像传感器和厚度传感器，第一输送装置上方设有驱动升降气缸在第一输送装置和第二输送装置之间来回移动的平移气缸。该分片装置通过图像传感器分别n面和p面，并且厚度传感器来检测是否黏片，利用上下设置的吸盘装置对黏片进行分离，进而使得p面朝上的以及n面朝上的硅片分别沿两个输送装置进行输送，进而快速分片，自动化水平高，提高分片效率，节省人工，降低坏片率。
基本信息
专利标题 ：
硅片分片装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123269394.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216413032U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
杨宣教
申请人 ：
张家港市德昶自动化科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市杨舍镇李巷村（金港大道东侧）1室张家港市德昶自动化科技有限公司
代理机构 ：
苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
许莉莉
优先权 ：
CN202123269394.5
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677 H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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