一种硅片分片装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片分片装置,包括吹气组件和固定吹气组件的支架组件，所述吹气组件包括有连通管，所述连通管用于对吹气组件供气，所述支架组件支撑吹气组件，所述吹气组件用于硅片分片,本实用新型采用L型的风刀连接板来固定吹气组件，在风刀连接板上设置水平方向的上孔，来调节吹气组件左右移动的位置，设置竖直方向的下孔来调节吹气组件上下移动的位置，从而有效的控制了吹气组件不同方向的移动，提高了设备的可靠性，本实用新型采用风刀底板和风刀板紧密连接的结构，通过设置扁平的喷腔，增大了气体的压强，从而增大了喷出气体的强度，提高了硅片分片效率。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片分片装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020689763.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-29
授权号 ：
CN211929443U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
丁治祥沈晓琪强嘉杰张立
申请人 ：
无锡小强半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202020689763.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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