一种硅片吹气分片机构
授权
摘要

本实用新型公开了一种硅片吹气分片机构,包括:分片组件,所述分片组件包括上吹风刀和下吹风刀,所述上吹风刀与下吹风刀之间配合形成空腔,所述下吹风刀上开设有进气孔,所述进气孔与空腔连通,所述下吹风刀的上表面设置有出风的槽体,所述槽体与上吹风刀配合形成长条形的出风口,所述出风口与空腔连通;供气组件,所述供气组件与进气孔连接以对空腔供气;升降组件,所述升降组件驱动分片组件上下运动以分离多块硅片。其能够将两块相邻的硅片分离,分片速度快,工作效率高。

基本信息
专利标题 :
一种硅片吹气分片机构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020627944.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-23
授权号 :
CN212257350U
授权日 :
2020-12-29
发明人 :
吴廷斌张学强张建伟罗银兵张巍
申请人 :
罗博特科智能科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区唯亭港浪路3号
代理机构 :
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
朱振德
优先权 :
CN202020627944.2
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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