半导体晶圆硅片分片装置
授权
摘要
本申请公开了一种半导体晶圆硅片分片装置，包括水箱，水箱底部依次设有输入机构和分片机构，分片机构上方设有输出机构，所述输入机构包括一对同步的第一输送带，所述输出机构包括一对同步的第二输送带，一对所述第二输送带延伸至水箱外，一对所述第一输送带之间固定连接有挡板，所述分片机构包括一对轴承座以及设置在轴承座上的旋转轴，所述旋转轴上固定套设有连接臂，所述连接臂远离旋转轴的一端连接有真空接头，所述真空接头远离连接臂的一端设有吸盘，所述吸盘旋转时正好能同时从一对第一输送带之间和一对第二输送带之间穿过。该半导体晶圆硅片分片装置通过分片机构衔接输入机构和输出机构，巧妙配合进行硅片分片，高效且自动化程度高。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶圆硅片分片装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920472898.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN209880550U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
杨宣教
申请人 ：
张家港市德昶自动化科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市杨舍镇李巷村（金港大道东侧）1室张家港市德昶自动化科技有限公司
代理机构 ：
苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
马丽丽
优先权 ：
CN201920472898.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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