一种用于硅片腐蚀的循环槽
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于硅片腐蚀的循环槽，其结构包括槽体，其创新点在于：槽体的左右两侧分别设有加液槽、循环流通槽，加液槽的宽度等于循环流通槽的宽度，加液槽和循环流通槽之间形成为浸液槽，加液槽和浸液槽的连接处设有出液板，出液板从上到下均匀分布有若干漏液孔，循环流通槽和浸液槽的连接处设有液位校准板，液位校准板的高度低于出液板，加液槽和循环流通槽之间相互连通且设有循环泵，浸液槽的底部设有出液管道，浸液槽和加液槽之间设有液位差检测件，液位差检测件用于判断浸液槽和加液槽之间的液位差，本发明保证了硅片持续浸渍的腐蚀效果。
基本信息
专利标题 ：
一种用于硅片腐蚀的循环槽
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540960A
申请号 ：
CN202210424129.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
管选伟孙国浩
申请人 ：
江苏英思特半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋市城南街道新源北路8号11号厂房（1-2层）
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘云艳
优先权 ：
CN202210424129.X
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20220422
申请日 : 20220422
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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