硅片单面漂浮腐蚀装置

专利权的终止

摘要

硅片单面漂浮腐蚀装置，涉及一种用于硅片单面大面积均匀腐蚀的装置。提供一种结构简单、使用方便，不用涂敷或生长保护膜就可实现硅片单面大面积均匀腐蚀的硅片单面漂浮腐蚀装置。设有漂浮体、真空吸附件和密封垫圈，漂浮体为中空桶形体，漂浮体底部设有开口，漂浮体顶部设有槽口；真空吸附件设有真空吸盘和带有弹力的拉杆，拉杆顶部设一挂钩，真空吸盘的底部面积小于漂浮体底部开口面积，真空吸附件嵌设与漂浮体内，挂钩固定在漂浮体顶部的槽口上，密封垫圈位于漂浮体底部。

基本信息

专利标题：

硅片单面漂浮腐蚀装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720009356.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-12-29

授权号：

CN201154988Y

授权日：

2008-11-26

发明人：

张玉龙李燕飞

申请人：

厦门大学

申请人地址：

361005福建省厦门市思明南路422号

代理机构：

厦门南强之路专利事务所

代理人：

陈永秀

优先权：

CN200720009356.7

主分类号：

C23F1/24

IPC分类号：

C23F1/24 H01L21/306