一种硅片酸腐蚀系统
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

一种硅片酸腐蚀系统,涉及半导体材料生产技术领域,包括腐蚀槽,还包括恒温槽和补液槽,外部酸液通过管道分别与补液槽和恒温槽连接,补液槽和外部气体分别通过管道接入腐蚀槽,腐蚀槽上设有排液管,腐蚀槽所在位置高于恒温槽,恒温槽和腐蚀槽之间通过2根管道连通,其中一根管道上设有酸泵,另一根管道用于腐蚀槽内的酸液依靠重力流回恒温槽,恒温槽内设有热交换管,热交换管内接入外部不同温度的水与恒温槽内的酸液进行热量交换。本实用新型有益效果:对腐蚀槽的化学液温度、浓度、搅拌进行针对性的控制,从而使腐蚀过程中硅片的腐蚀速率、腐蚀均匀性、腐蚀表面粗糙度有效受控,保证腐蚀后硅片的一致性。

基本信息
专利标题 :
一种硅片酸腐蚀系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922431190.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-30
授权号 :
CN210897216U
授权日 :
2020-06-30
发明人 :
王海君杨波王军
申请人 :
麦斯克电子材料有限公司
申请人地址 :
河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号
代理机构 :
洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)
代理人 :
陈佳丽
优先权 :
CN201922431190.3
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/306  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-03 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/67
变更事项 : 专利权人
变更前 : 麦斯克电子材料有限公司
变更后 : 麦斯克电子材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 471000 河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号
变更后 : 471000 河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号
2020-06-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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