一种用于单面锗晶片的腐蚀方法
授权
摘要
本申请涉及锗晶片加工技术领域，具体公开了一种用于单面锗晶片的腐蚀方法，且包括如下步骤：在锗晶片的背面以及周向设置光刻胶膜；利用酸腐蚀液对锗晶片的正面进行浸泡腐蚀，在不断喷淋酸腐蚀液下，对锗晶片的正面进行一次纵向切入减薄处理；在不断喷淋导流液下，对锗晶片的正面进行二次纵向切入减薄处理、研磨整平处理；除去光刻胶膜；导流液包含以下原料制成：石墨烯粉、两性表面活性剂、非离子表面活性剂、氟化铵、硅烷偶联剂、水。该方法不仅提高锗晶片减薄处理效率，同时降低锗晶片表面粗糙度，提高锗晶片减薄处理的整体性能，满足市场需求。
基本信息
专利标题 ：
一种用于单面锗晶片的腐蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262941A
申请号 ：
CN202210189280.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
CN114262941B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
王元立陈美琳贺友华
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210189280.X
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10 B24B1/00 C09K3/14 C30B29/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20220301
申请日 : 20220301
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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