一种晶片沟槽腐蚀装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶片沟槽腐蚀装置，包括，腐蚀槽，腐蚀槽内注入酸性洗液；翻转机构，翻转机构设置在腐蚀槽上部，翻转机构包括翻转辊和设置在翻转辊上的转动机构；转动机构，转动机构包括承载部和活动设置在承载部一侧顶端的盖体，承载部上设有若干开孔，盖体上也设有若干开孔，承载部内设有放置槽，转动机构还包括驱动部，驱动部设置在翻转辊上且与承载部连接。采用上述结构后，通过翻转辊将转动机构翻转至腐蚀槽内，然后利用转动机构自身的转动带动其内的晶片转动，实现晶片上的沟槽与酸性洗液充分接触，提高对晶片沟槽的腐蚀效果。
基本信息
专利标题 ：
一种晶片沟槽腐蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920872797.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-11
授权号 ：
CN209804613U
授权日 ：
2019-12-17
发明人 ：
王道强张勇
申请人 ：
扬州虹扬科技发展有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区槐泗镇弘扬东路
代理机构 ：
北京文苑专利代理有限公司
代理人 ：
王炜
优先权 ：
CN201920872797.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN209804613U.PDF
PDF下载
