一种用于碳化硅晶片腐蚀装置
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摘要

本实用新型公开了一种用于碳化硅晶片腐蚀装置,包括机械臂、坩埚和加热炉,坩埚放置在加热炉内,坩埚内装有碱性腐蚀液,所述机械臂包括立柱、正反转电机、升降支架和机械手,正反转电机安装在立柱上,所述升降支架由固定导轨、齿轮条和“7”字型支架组成,所述正反转电机主轴前面装有齿轮,所述正反转电机转动带动齿轮转动,通过齿轮条及固定导轨带动支架上下移动,所述支架前端通过快速转换接头连接机械手。本实用采用自动化的将晶片放入强碱腐蚀液,代替人为操作,避免人员受到伤害,且机械手设置有一定的倾斜角,使得晶片倾斜的进入到强碱腐蚀液中,容易被浸没,倾斜的拿出,减少了腐蚀液附着在晶片的表面张力,解决了破片和过腐蚀的风险。

基本信息
专利标题 :
一种用于碳化硅晶片腐蚀装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021747962.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-20
授权号 :
CN213061107U
授权日 :
2021-04-27
发明人 :
胡秋冬
申请人 :
福建北电新材料科技有限公司
申请人地址 :
福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
代理机构 :
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
汤东凤
优先权 :
CN202021747962.0
主分类号 :
C30B33/10
IPC分类号 :
C30B33/10  C30B29/36  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2021-04-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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