一种碳化硅晶片腐蚀化系统
实质审查的生效
摘要

本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域,公开了一种碳化硅晶片腐蚀化系统,包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置;工作台面包括多个工作腔,密封舱用于对所述工作腔进行密封,防止有害气体泄露;传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理;排气装置用于对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。本发明将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面,通过自动化机构,实现碳化硅晶片在功能化处理过程中的自动化;整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态,防止有害气体的挥发,工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度,避免高温和有害气体的接触,最大限度保护人员安全。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅晶片腐蚀化系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114262942A
申请号 :
CN202210200525.4
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2022-03-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王蓉李佳君皮孝东沈典宇王芸霞杨德仁
申请人 :
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 :
浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
代理机构 :
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
姚宇吉
优先权 :
CN202210200525.4
主分类号 :
C30B33/10
IPC分类号 :
C30B33/10  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20220303
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332