一种用于碳化硅晶片退火的装置
实质审查的生效
摘要

本申请提供了一种用于碳化硅晶片退火的装置,通过在坩埚体内设有一层或多层用于放置碳化硅晶片的夹层板,并且设置各夹层板沿坩埚体的轴向方向排布,相邻的夹层板之间具有一定的间距。这样,在碳化硅晶片退火时,在各夹层板上分别摞若干片碳化硅晶片,与将所有的碳化硅晶片直接摞在一起相比,可以有效防止碳化硅晶片的晶片重量增加,导致晶片之间压得过紧,氧化后难分离的问题。同时,在各夹层板上开设通孔,可以保证空气的流通,进而可以保证各晶片之间的空气流通,有助于减少晶片黏连。因此,本申请实施例可以解决碳化硅晶片退火后晶片不好分离的问题,可以有效降低裂片、破片率,还可以在坩埚内放置更多的晶片,提高退火效率并降低生产成本。

基本信息
专利标题 :
一种用于碳化硅晶片退火的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114369875A
申请号 :
CN202011102894.7
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2020-10-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈秀芳张木青徐现刚王垚浩
申请人 :
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请人地址 :
广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202011102894.7
主分类号 :
C30B33/02
IPC分类号 :
C30B33/02  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/02
申请日 : 20201015
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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