碳化硅晶体退火坩埚及退火装置

授权

摘要

本实用新型提供一种碳化硅晶体退火坩埚及退火装置，该退火坩埚包括底部坩埚，底部坩埚；若干环形坩埚，依次叠置于所述底部坩埚上，位于最底部的所述环形坩埚的底端与所述底部坩埚的顶端螺纹连接，相邻的两个所述环形坩埚之间通过螺纹连接；顶盖，所述顶盖与最顶部的所述环形坩埚的顶端；所述底部坩埚、所述若干环形坩埚及所述顶盖共同限定出多个独立的退火腔体。利用本实用新型进行碳化硅晶体二次退火时，可以减小位于下方的晶体会受到上方晶体的压迫而产生外应力,降低碳化硅晶体在退火过程中因应力过大而造成晶体开裂的破损率，提高碳化硅晶体产率。

基本信息

专利标题：

碳化硅晶体退火坩埚及退火装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021832997.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-27

授权号：

CN213172687U

授权日：

2021-05-11

发明人：

肖体康周玉洁潘尧波马远方秀亮

申请人：

中电化合物半导体有限公司

申请人地址：

浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

林凡燕

优先权：

CN202021832997.4

主分类号：

C30B33/02

IPC分类号：

C30B33/02 C30B29/36