一种晶体的退火处理装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提供了一种晶体的退火处理装置,所述装置包括:坩埚,用于放置需要退火处理的晶体;第一加热器,包括同心设置的多个第一加热环,多个第一加热环分布于所述坩埚的上方;第二加热器,包括同心设置的多个第二加热环,多个第二加热环分布于所述坩埚的下方;第三加热器,其设置于所述坩埚的侧面。本实用新型分别设置位于坩埚上方、下方、两侧的加热器,且将坩埚上方、下方的多个加热器设置为多个加热环结构,通过调节每个加热环的适宜功率,可以控制坩埚温度从中心向边缘均匀降低,及控制坩埚下部温度高于对应部分的坩埚上部的温度,可获得与晶体生长时不同或相反的轴向温度梯度,能实现残余热应力的基本消除。

基本信息
专利标题 :
一种晶体的退火处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922288871.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-17
授权号 :
CN211497869U
授权日 :
2020-09-15
发明人 :
方帅高宇晗高超李霞宁秀秀王路平张九阳王宗玉潘亚妮舒天宇
申请人 :
山东天岳先进材料科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 :
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王宽
优先权 :
CN201922288871.9
主分类号 :
C30B33/02
IPC分类号 :
C30B33/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2020-12-18 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 33/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 山东天岳先进材料科技有限公司
变更后 : 山东天岳先进科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 250100 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
变更后 : 250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
2020-09-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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