一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置，包括有底座、底部固定于底座上的油浴装置、设置于油浴装置内部的双层高硼硅玻璃封闭容器和固定于底座上的控制器。本实用新型采用油浴罐体进行油浴加热，并采用双层高硼硅玻璃封闭容器盛放酸液，双层高硼硅玻璃封闭容器具有耐高温耐腐蚀的特点，不易被酸碱腐蚀，且可确保酸液不会流到油浴罐体中，控制器采用多段可编程温控仪精确控制升降温速率，提高操作的方便性，同时避免升降温速度过快造成晶体元件开裂，从而快速去除大尺寸晶体元件表面的加工损伤。
基本信息
专利标题 ：
一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021342078.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-08
授权号 ：
CN212895090U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
孙贵花张庆礼刘文鹏罗建乔孙彧高进云韩松郑丽丽谷长江何嘉伟
申请人 ：
中国科学院合肥物质科学研究院
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山湖路350号
代理机构 ：
合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩燕
优先权 ：
CN202021342078.9
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10 C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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