一种晶体制备快速退火炉
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摘要

本实用新型公开了一种晶体制备快速退火炉,所述炉身的顶部开设有环形保温槽,所述环形保温槽内壁上固定装配有外层保护砖,四组所述导热柱的顶端固定装配有内层保温碳化硅板,所述加热底板内均布有圆盘形缠绕加热炉管,且所述保温水管的外壁上套接装配有套环,且所述套环的侧壁上固定有固定装配在导热柱外壁上的安装块,所述限位板由内到外依次装配有缠绕装配在内层保温碳化硅板外壁外侧的第一圆柱形缠绕加热炉管、第二圆柱形缠绕加热炉管和第三圆柱形缠绕加热炉管,使得晶体各向性能在径向以及高度方向上的差异大幅度减小,防止温度消散太快而影响内应力差异过大化,提高晶体的退火效果。

基本信息
专利标题 :
一种晶体制备快速退火炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022200340.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-29
授权号 :
CN213570827U
授权日 :
2021-06-29
发明人 :
王家武杨定永张顺祥阿凤雄罗应强
申请人 :
云南全控机电有限公司
申请人地址 :
云南省昆明市中国(云南)自由贸易试验区昆明片区经开区阿拉街道办事处云大西路39号新兴产业孵化区A幢1楼103-105号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202022200340.2
主分类号 :
C30B33/02
IPC分类号 :
C30B33/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2021-06-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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