制备激光晶体坯的装置
授权
摘要
本实用新型制备激光晶体坯的装置，属于激光晶体制备技术领域。包括外壳(10)、夹具(20)、上保温部分、下保温部分、加热部分及支撑部分。所述上保温部分包括第一保温筒(1)和/或第二保温筒(4)，所述第一保温筒(1)位于第二保温筒(4)之上；所述第一保温筒(1)及第二保温筒(4)分别由一侧有侧凸的保温块嵌入一侧有侧凹槽相邻另1块保温块拼接组成。不仅具有方便定位和组装，阻止沿各保温部件结合面间隙的热辐射产生的热量损失，还能防止炉膛内产生较强对流气体对激光晶体坯的影响，提高了激光晶体坯的成品率。
基本信息
专利标题 ：
制备激光晶体坯的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921221724.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210736949U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
刘革命陈贻斌钟玖平苏发强
申请人 ：
赣州虔东激光科技有限公司
申请人地址 ：
江西省赣州市章贡区水东镇虔东大道289号（5#车间）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921221724.3
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B15/14
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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