一种制备激光晶体坯的装置
授权
摘要
本实用新型一种制备激光晶体坯的装置，属于激光晶体制备技术领域。包括上保温部分、下保温部分及支撑部分；从上至下分别为上保温部分、下保温部分及支撑部分，各上下两部分之间有结合面；所述各结合面之间采用凸起圈与凹槽圈嵌合的结构，不仅方便定位和组装，并且能阻止沿各保温部件结合面间隙的热辐射产生的热量损失，还能防止炉膛内产生较强对流气体对激光晶体坯的影响，提高了激光晶体坯的成品率。
基本信息
专利标题 ：
一种制备激光晶体坯的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921228339.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210736947U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
刘革命陈贻斌钟玖平苏发强
申请人 ：
赣州虔东激光科技有限公司
申请人地址 ：
江西省赣州市章贡区水东镇虔东大道289号（5#车间）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921228339.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210736947U.PDF
PDF下载
