一种磷化铟晶片退火装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种磷化铟晶片退火装置，包括柱状罐体、密封盖和晶片台；柱状罐体、密封盖和晶片台所用材质均为石英；柱状罐体的顶部由密封盖密封；柱状罐体内侧壁上设有沿周边设置的支撑凸块，晶片台周边设有支撑耳，晶片台通过支撑耳水平放置在柱状罐体内的支撑凸块上；晶片台上表面设有一个以上的弧形凹坑，每个弧形凹坑均沿周边设有环形支撑台阶，环形支撑台阶上设有沿宽度方向设置的通槽。本实用新型磷化铟晶片退火装置，结构简单，容易制作、操作方便，彻底解决了晶片竖立放置的形变问题，同时有效解决了退火后晶片正面与背面表面形貌不同的问题，同时还可以实现多个晶片的同步退火，提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种磷化铟晶片退火装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021794889.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
CN212648204U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
房现阁柯尊斌王卿伟郭友林
申请人 ：
中锗科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号
代理机构 ：
南京中律知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李建芳
优先权 ：
CN202021794889.2
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/324
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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