本实用新型一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，本实用新型属于半导体技术领域，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，关键在于：所述炉体分隔为合成生长室、投料室及装料室，装料室和投料室借助插板分隔，装料室内设置翻转投料器，投料室内设置送料管，送料管一端对接翻转投料器，一端延伸至合成生长室内的坩埚内形成铟磷混合球投送结构；坩埚定位在坩埚杆上，籽晶杆升降机构设置在合成生长室顶盖上。可将铟磷混合球快速投入到覆盖有液态氧化硼的坩埚中，合成后后，原位提拉形成磷化铟晶体，合成速度更快，利于产业化生产。