一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于制备磷化铟单晶的高压炉，具体为磷化铟领域，包括装置底座，所述装置底座的底部固定安装有装置滚轮，所述装置底座的顶部固定安装有电源箱，所述装置底座的顶部固定安装有支撑座，所述支撑座的顶部固定安装有固定座，所述活动杆的内部固定安装有升降控制装置，所述坩埚的表面活动安装有阀门。本实用新型通过设置可移动底座减震装置，使得整体装置在使用的时候也可以通过该装置进行移动，使得其的使用环境以及场地不再受到限制，而且全部位都可拆卸，在一定程度上节省了人力，既避免了原装置不便于移动的问题，又解决了该装置在使用的过程中震动过大影响整个装置的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020297577.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-12
授权号 ：
CN212270279U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
于会永冯佳峰赵中阳赵春锋张军军雷仁贵肖亚东袁韶阳吴凤祥
申请人 ：
大庆溢泰半导体材料有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省大庆市高新区火炬新街36号新兴产业孵化器（园区）3#210房间
代理机构 ：
黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
白海军
优先权 ：
CN202020297577.4
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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