一种磷化铟多晶合成装置
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摘要

本实用新型属于半导体制备技术领域,公开了一种磷化铟多晶合成装置,包括石英炉膛管,石英炉膛管两端设有高温加热器和低温加热器,石英炉膛管设有加热器隔温棉且位于高温加热器和低温加热器之间,石英炉膛管中放置有石英安瓿瓶,石英安瓿瓶的两端均设有大瓶颈区,中部设有小瓶颈区,两个大瓶颈区分别设有放置高纯红磷的红磷区和放置高纯铟的高纯铟区,石英安瓿瓶的高纯铟区远离小瓶颈区的一端为开口端且设有石英帽,石英安瓿瓶的小瓶颈区和石英炉膛管之间设有石英安瓿瓶隔温棉。本实用新型能够解决因高温区与中温区之间没有适当的保温措施,导致蒸发后的红磷部分冷凝,从而难以得到配比均匀的多晶料的问题。

基本信息
专利标题 :
一种磷化铟多晶合成装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022517522.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-11-04
授权号 :
CN214193522U
授权日 :
2021-09-14
发明人 :
李勇曾志勇罗福敏
申请人 :
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 :
重庆市万州区万州经开区高峰园B02
代理机构 :
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 :
张晨
优先权 :
CN202022517522.2
主分类号 :
C30B29/40
IPC分类号 :
C30B29/40  C30B28/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2021-09-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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