一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片

授权

摘要

本实用新型公开了一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片，磷化铟半导体激光晶圆包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长其上端面的外延结构，将覆盖在磷化铟半导体激光晶圆表面位于解理面区域的二氧化硅电介质膜层去除，通过解理面区域对磷化铟半导体激光晶圆解理得到磷化铟半导体激光芯片。其可以降低磷化铟激光芯片的整体应力，主要是降低解理方向上二氧化硅电介质膜层产生的应力，从而降低其对施加机械外力的影响，保证机械应力能够沿解理方向传递，从而达到理想解理效果。

基本信息

专利标题：

一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921656468.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-30

授权号：

CN210838448U

授权日：

2020-06-23

发明人：

李林董北平李鸿建

申请人：

武汉云岭光电有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5添加到日历号

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：

代婵

优先权：

CN201921656468.0

主分类号：

H01S5/223

IPC分类号：

H01S5/223