一种半导体晶圆芯片的加工方法
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摘要
本发明公开了一种半导体晶圆芯片的加工方法，包括步骤：步骤1、在基板的安装工位上滴入一定量的水性胶；步骤2、将半导体晶圆芯片的粘接面贴合在安装工位上并与水性胶充分接触；步骤3、将半导体晶圆芯片粘接过程中溢出的水性胶吸除；步骤4、将粘接有半导体晶圆芯片的基板放入压合器内，对半导体晶圆芯片加热并将其按压在基板上；步骤5、加温压合结束后将基板取出、自然冷却；步骤6、冷却后将基板放置在研磨机台上，对半导体晶圆芯片研磨加工；步骤7、研磨加工结束后用热水将基板上的水性胶去除，获得研磨后的半导体晶圆芯片。采用水性胶来替换原有蜡在半导体晶圆芯片加工过程中的粘结作用，粘结效果好，可水溶解，减少了废水污染。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶圆芯片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110993496A
申请号 ：
CN201911336771.7
公开（公告）日 ：
2020-04-10
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN110993496B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈宗兵
申请人 ：
三芯威电子科技（江苏）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山开发区昆嘉路556号2号房
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
许云峰
优先权 ：
CN201911336771.7
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 B24B7/22 B24B37/04 B24B37/10
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-05-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20191223
申请日 : 20191223
2020-04-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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