激光剥离晶圆装置及激光剥离晶圆方法

授权

摘要

本申请提供一种激光剥离晶圆装置及激光剥离晶圆方法，涉及半导体加工领域。激光剥离晶圆装置包括用于安装晶锭的安装平台、激光发射器、聚透镜组件、用于提供磁场的磁体及控制系统；激光发射器和聚透镜组件互相配合以将激光束聚焦于晶锭内以诱导晶锭生成等离子体；晶锭位于磁场中以使磁场能够调控等离子体的运动状态；控制系统与磁体连接，控制系统能够实时获得等离子体的特征参数并根据特征参数实时调控晶锭所在的磁场。激光剥离晶圆装置及激光剥离晶圆方法通过磁场调控激光诱导的等离子体，实时改变等离子体在晶锭内部的运动过程以对改质层进行二次加工，实现晶圆的加工表面的二次加工，大幅提高晶圆自晶锭剥离加工的质量与效率。

基本信息

专利标题：

激光剥离晶圆装置及激光剥离晶圆方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111702353A

申请号：

CN202010625189.9

公开（公告）日：

2020-09-25

申请日：

2020-06-30

授权号：

CN111702353B

授权日：

2022-04-05

发明人：

王宏建赵卫朱建海沈旋何自坚申漫漫

申请人：

松山湖材料实验室

申请人地址：

广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

唐菲

优先权：

CN202010625189.9

主分类号：

B23K26/50

IPC分类号：

B23K26/50 B23K26/064 B23K26/70