激光剥离集成化设备
授权
摘要
本发明提供一种激光剥离集成化设备，包括：激光光源，用于对所述待剥离晶片进行激光剥离；剥离腔室，用于承载所述待剥离晶片；加热器，用于提供所述待剥离晶片进行剥离时所需要的温度；轮廓测量装置，用于获取所述待剥离晶片的表面轮廓信息；以及移动装置，用于依据所述轮廓测量装置所获取的表面轮廓信息调整所述待剥离晶片的所在高度，使得剥离时激光光源的焦点位于待剥离位置。本发明的激光剥离集成化设备通过实时测量待剥离晶片表面轮廓，在剥离时实时调整晶片高度，可以保证剥离时激光焦点位于待剥离位置，使得激光在剥离面不偏焦，提升激光剥离的良率。
基本信息
专利标题 ：
激光剥离集成化设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534477A
申请号 ：
CN201910788121.X
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2019-08-26
授权号 ：
CN110534477B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
卢敬权任俊杰庄文荣孙明李泽琪朱定正
申请人 ：
东莞市中镓半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市企石镇科技工业园
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN201910788121.X
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 B23K26/03 B23K26/36 B23K26/70
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-01-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20190826
申请日 : 20190826
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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