一种磷化铟高压单晶生长炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种磷化铟高压单晶生长炉，所述磷化铟高压单晶生长炉包括炉体、冷却系统、加热系统和恒压系统，所述炉体包括筒体、设置在筒体顶端的上端盖、设置在筒体低端的下端盖和设置在筒体上的固定架，恒压系统包括设置在下端盖上的进气口和设置在上端盖上的出气装置，进气口贯穿下端盖与筒体内部相连通，所述出气装置包括设置在上端盖上的出气口、第一端与出气口相连通的三通管、与三通管第二端相连通的泄压阀和与三通管第三端相连通的排气管道，排气管道与外界工业废气回收设备相连，泄压阀的泄压口与外界空气相连，所述出气口贯穿上端盖与筒体内部相连通。本实用新型能够提高磷化铟的单晶率，保证磷化铟单晶生长质量的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种磷化铟高压单晶生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021023171.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-07
授权号 ：
CN213013163U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
张华芹程佳彪弓利军
申请人 ：
上海韵申新能源科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区漕河泾开发区松江高科技园莘砖公路258号39幢402室-1
代理机构 ：
上海愉腾专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
谢小军
优先权 ：
CN202021023171.3
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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