一种磷化铟晶体生长设备
授权
摘要
本实用新型涉及磷化铟晶体生长技术领域,且公开了一种磷化铟晶体生长设备,包括外壳,所述外壳的顶部固定连接有背板,所述背板正面的顶端固定连接有支撑架,所述支撑架的顶部固定连接有驱动装置,所述驱动装置的底部固定连接有籽晶固定夹,所述背板正面的底端固定连接有限位板,所述限位板的内侧活动连接有固定板,所述固定板的正面螺纹连接有固定螺丝。该磷化铟晶体生长设备,通过移动固定板并利用固定螺丝进行固定,从而调节放置台的高度,可以使磷化铟晶体完全进入加热箱内部,活动板底部的移动轮辅助移动,在移动过程中减震弹簧会缓解颠簸,而且磁块可以防止活动板来回起伏,方便设备进行移动。
基本信息
专利标题 :
一种磷化铟晶体生长设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021096061.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-13
授权号 :
CN213172683U
授权日 :
2021-05-11
发明人 :
马争荣王建玲
申请人 :
高密普特电子设备有限公司
申请人地址 :
山东省潍坊市高密市高新技术产业开发区第二孵化器
代理机构 :
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 :
殷盛江
优先权 :
CN202021096061.X
主分类号 :
C30B29/40
IPC分类号 :
C30B29/40 C30B15/00 C30B15/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2021-05-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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