一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，具体磷化铟为领域，包括炉体和入料口，所述炉体两侧的顶部固定安装有降温箱，所述降温箱的另一侧固定连通有连通管，所述连通管的另一侧固定安装有降温板，所述炉体底部的两侧固定安装有上安装底架，所述上安装底架底部的两侧固定套装有防晃轴，所述防晃轴的底部固定安装有下安装底板。本实用新型通过设置稳定装置，使得在生长炉中对原料进行混合时，也会发生炉体的晃动，从而导致加工的不稳定，容易导致炉体倒塌损坏，稳定装置会在炉体内部加工原料时，自动在底部对炉体进行稳固，既避免炉体晃动的问题，又解决了加工不稳定的问题，从而提高了加工的效率，同时也保护的炉体。
基本信息
专利标题 ：
一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020168354.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-14
授权号 ：
CN211771658U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
于会永冯佳峰赵中阳赵春锋张军军雷仁贵肖亚东袁韶阳吴凤祥
申请人 ：
大庆溢泰半导体材料有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省大庆市高新区火炬新街36号新兴产业孵化器（园区）3#210房间
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020168354.8
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B1/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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