一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统
授权
摘要
本实用新型涉及磷化铟单晶制备技术领域，尤其涉及一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统，包括单晶炉、真空泵以及压缩氮气瓶，还包括五通球阀，所述单晶炉、真空泵、压缩氮气瓶均与五通球阀通过管道相连通，所述五通球阀和压缩氮气瓶之间的管道上还安装有两个减压阀。本实用新型的一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统，能够有效的控制磷化铟单晶生产过程中单晶炉内的压力稳定，避免炸管，从而提高了生产效率，且在一定程度上降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021460939.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN212223145U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
罗福敏胡昌勇李勇刘留苏小平
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园B02
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202021460939.3
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/40
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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