一种磷化铟晶片腐蚀装置
授权
摘要
一种磷化铟晶片腐蚀装置，包括水浴槽、数控加热器、腐蚀槽、搅拌装置、转动装置和夹板；数控加热器安装在水浴槽内侧的侧壁上；腐蚀槽通过支柱安装在水浴槽内；搅拌装置包括依次连接的电机M2、金属传动杆a、聚四氟乙烯转动杆a和搅拌叶，电机M2和金属传动杆a位于水浴槽外侧，搅拌叶位于腐蚀槽内；转动装置包括依次连接的电机M1、金属传动杆b和聚四氟乙烯转动杆b，电机M1、金属传动杆b位于水浴槽外侧，聚四氟乙烯转动杆b贯穿腐蚀槽的整个长度方向；夹板的数量为偶数块，夹板两两相对地设置在聚四氟乙烯转动杆b的两侧，夹板的高度低于聚四氟乙烯转动杆b的高度。上述装置实现了恒温加热，提高了腐蚀的均匀性、生产效率和安全性。
基本信息
专利标题 ：
一种磷化铟晶片腐蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123358773.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216514267U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
房现阁柯尊斌王卿伟
申请人 ：
中锗科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号
代理机构 ：
南京中律知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李建芳
优先权 ：
CN202123358773.1
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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