一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片
公开
摘要
本申请涉及半导体晶片加工领域，具体公开了一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片。所述半导体晶片的抛光方法是利用抛光设备、抛光液和抛光垫对研磨后的半导体晶片进行抛光。抛光液包括粗抛光液与精抛光液。所述粗抛光液的pH值为4‑5，二氧化硅的粒径为50‑80nm，所述精抛光液的pH值为6‑7，二氧化硅的粒径为20‑30nm。本申请中半导体晶片的粗糙度Ra≤0.2nm，平整度在5μm以内，弯曲度在4μm以内，翘曲度在2μm以内。通过本申请的抛光液，抛光设备与抛光垫的相互配合，保证磷化铟晶片表面质量的同时，提高生产效率，适用于批量化地生产。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114290229A
申请号 ：
CN202111592063.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王亚坤李海淼
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111592063.7
主分类号 ：
B24B37/04
IPC分类号 ：
B24B37/04 B24B37/10 B24B37/005 B24B49/00 C09G1/02 H01L21/02 H01L29/20
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/04
适用于加工平面的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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