本申请涉及锗晶片加工技术领域，具体公开了一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法。用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液，其由包含以下原料制备而成：改性石墨烯粉、微囊化相变材料、改性二氧化硅粉、聚苯乙烯微球、两性表面活性剂、非离子表面活性剂、硅烷偶联剂、二氯异氰尿酸钠、氟化铵、碳酸氢钠、硫酸钠、水；改性石墨烯粉为二氧化硅、银、硅烷偶联剂对石墨烯处理得到；改性二氧化硅粉为明胶、硅烷偶联剂对二氧化硅处理得到。该精抛光液，通过原料之间的协同作用，不仅降低磷对环境的影响，而且还降低锗晶片抛光处理后的表面粗糙度，提高锗晶片抛光处理的整体性能，满足市场需求。