一种液态磷注入法合成磷化铟的系统

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摘要

本实用新型一种液态磷注入法合成磷化铟的系统，属于半导体技术领域，包括基于原位合成法的InP单晶炉、设置在单晶炉内的提拉式籽晶杆、石英磷泡、磷源炉及坩埚，关键在于：所述单晶炉内还设置有冷凝器，冷凝器包括充有冷却液的冷却箱和浸在冷却液内的螺旋管，螺旋管的入口与石英磷泡的口部连通，螺旋管的出口插入坩埚内的铟熔体中，石英磷泡设置在磷源炉内。该系统中，在单晶炉内增设冷凝器并将石英磷泡与冷凝器连接，石英磷泡内的固态磷被磷源炉加热气化，气态磷进入冷凝器冷却为液态磷注入坩埚内的铟溶体中。能够在较低温度下、高效率、高纯度的配比、大容量合成磷化铟溶体，利于生长富磷磷化铟多晶，易于磷化铟单晶的生长。

基本信息

专利标题：

一种液态磷注入法合成磷化铟的系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020974671.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-02

授权号：

CN212895088U

授权日：

2021-04-06

发明人：

付莉杰孙聂枫王书杰李晓岚张鑫张晓丹史艳磊邵会民王阳

申请人：

中国电子科技集团公司第十三研究所

申请人地址：

河北省石家庄市新华区合作路113号

代理机构：

石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙)

代理人：

王苑祥

优先权：

CN202020974671.9

主分类号：

C30B29/40

IPC分类号：

C30B29/40 C30B15/02