一种平面掺杂磷化铟基高电子迁移率晶体管及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种平面掺杂磷化铟基高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、未掺杂InP副沟道、下delta‑doping层、未掺杂InGaAs沟道、未掺杂InAlAs隔离层、上delta‑doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n+InGaAs源极帽层、n+InGaAs漏极帽层、源极电极、漏极电极、钝化层和栅极电极。本发明能够提高InP基HEMT的击穿电压，并保持较高的输出特性和截止频率，提高晶体管均匀性和重复性的稳定性，能够满足InP基电子器件在低功耗低噪声、数字电路领域的应用要求。
基本信息
专利标题 ：
一种平面掺杂磷化铟基高电子迁移率晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582973A
申请号 ：
CN202210116368.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨林安陈尧胡啸林岳航博马晓华郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210116368.9
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/205 H01L21/335
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
