碳化硅腐蚀炉炉体及碳化硅腐蚀炉

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摘要

本实用新型属于半导体设备技术领域，尤其涉及一种碳化硅腐蚀炉炉体及碳化硅腐蚀炉，该碳化硅腐蚀炉炉体包括外壳、隔热层、加热装置及坩埚，所述外壳为开口向上的筒状结构，所述外壳的上部开口处设置有向内侧伸展的凸缘，所述坩埚包括开口向上且呈筒状的坩埚主体及由所述坩埚主体的上部开口向外伸展的翻边，所述隔热层包裹所述坩埚主体，所述翻边及凸缘均贴附在所述隔热层的上端面上，所述翻边的外侧边缘与凸缘的内侧边缘之间具有缝隙。本申请的碳化硅腐蚀炉炉体及碳化硅腐蚀炉，隔热层只有上端面通过一条狭小的缝隙外露，整体封闭在外壳与坩埚之间的空间中，彻底阻断KOH蒸汽腐蚀隔热层，增加了碳化硅腐蚀炉的使用寿命。

基本信息

专利标题：

碳化硅腐蚀炉炉体及碳化硅腐蚀炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021965426.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-09

授权号：

CN213476159U

授权日：

2021-06-18

发明人：

崔孟华蔡凯王军周维

申请人：

比亚迪股份有限公司;韶关比亚迪电子有限公司

申请人地址：

广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

代理机构：

深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)

代理人：

谭果林

优先权：

CN202021965426.8

主分类号：

C30B33/12

IPC分类号：

C30B33/12 C30B29/36 G01N1/32