一种碳化硅腐蚀设备
授权
摘要
本申请公开了一种碳化硅腐蚀设备，用于腐蚀碳化硅晶圆，包括加热组件，炉体包括空腔和开口，炉体上活动连接炉盖，炉盖上设有进气孔和排气孔；耐腐蚀坩埚，耐腐蚀坩埚位于空腔内，耐腐蚀坩埚具有反应腔，反应腔用于放置反应支架以及容纳腐蚀剂，炉盖连接有尾气处理部件，通过在炉体上活动连接有用于封闭所述开口的炉盖，实现密封空腔，保障热量不易外泄，加快腐蚀液与碳化硅晶圆的反应；通过在进气管上设置气体流量计和的阀门，实现对进气量的控制；通过在排气管上设置单向阀和尾气处理装置，实现环保排放。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅腐蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121717722.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-27
授权号 ：
CN216487964U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
李佳君王蓉朱如忠罗昊皮孝东杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202121717722.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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