一种耐腐蚀硅晶片

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摘要

本实用新型公开了一种耐腐蚀硅晶片，包括硅晶片主体、光刻面、上表层和下表层，所述硅晶片主体的内部设置有光刻面，所述硅晶片主体的外部设置有防护结构，所述硅晶片主体内部的两端均固定有防腐结构，且防腐结构的底端固定有加强结构，所述硅晶片主体的底端固定有下表层。本实用新型通过设置有防护结构实现了便于对硅晶片的边角处进行防护，防护套通过限位块固定在硅晶片主体的外部，限位块会限位在抵压块的内部，此时防护套会包裹在硅晶片主体的边角处，当硅晶片主体产生掉落的现象时，防护套会对硅晶片主体进行防护，从而实现了便于对硅晶片的边角处进行防护，避免了硅晶片的边角处遭到磨损。

基本信息

专利标题：

一种耐腐蚀硅晶片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021282997.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-04

授权号：

CN212113674U

授权日：

2020-12-08

发明人：

鲁长运王艳丽

申请人：

昆山台洋电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市昆山市千灯镇景唐南路389号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021282997.1

主分类号：

H01L23/02

IPC分类号：

H01L23/02 H01L23/32 H01L29/06